利用极低能电子衍射研究NbSe2的未占据能带结构：实验与理论
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
本文对2H-NbSe2 (0001)表面的极低能电子衍射进行了实验与理论相结合的研究。在沿布里渊区GammaK线改变k||的情况下，测量了费米能级以上最高达50 eV能量的电子透射谱。采用扩展线性缀加平面波k-p方法对光谱进行了从头计算。实验光谱通过三维单电子能带结构进行了解释。本文特别关注准粒子寿命：通过比较实验光谱与计算光谱中谱线结构的展宽，确定了光学势Vi的能量依赖性。在20 eV处检测到Vi的急剧增加，这与Im(-1/epsilon)函数中的等离激元峰相关。此外，从头计算了NbSe2的电子能量损失谱和反射率，并与光学实验进行了比较。所获得的关于未占据态色散和寿命的信息，对于价带三维能带结构的光电子能谱研究具有重要意义。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0207607,
title = {Unoccupied Band Structure of NbSe2 by Very-Low-Energy Electron Diffraction: Experiment and Theory},
author = {E. E. Krasovskii and W. Schattke and V. N. Strocov and R. Claessen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207607},
year = {2009}
}
备注
17 pages, 11 Postscript figures, submitted to Phys. Rev. B