1T-VSe2 中的隐藏电子序
材料科学
2021-10-12 v1
摘要
本文中，我们利用角分辨光电子能谱研究了 1T-VSe2 的表面电子结构，并揭示了位于费米能级附近的无色散发射。其晶体动量依赖性表明，它占据了布里渊区（BZ）的大片区域，而此处不应存在体带。在电子掺杂（沉积 Rb 原子）下，系统以令人惊讶的方式演化。除了能带如预期下移外，还观察到体带与无色散发射均发生分裂。这一奇特行为强烈暗示该发射的内禀性质。因此，对其表征可能有助于深入理解过渡金属硫族化合物的物理。
引用
@article{arxiv.2110.04666,
title = {Hidden electronic order in 1T-VSe2},
author = {T. Yilmaz and E. Vescovo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.04666},
year = {2021}
}
备注
5 figures, 5 pages