1T-TiSe2中激子绝缘体相模型的温度依赖性
强关联电子
2015-05-13 v1
摘要
近期，针对1\textit{T}-TiSe情况调整的激子绝缘体相模型的详细计算已被提出。通过谱函数，可以生成与实验非常一致的理论光发射强度图[Phys. Rev. Lett. {\bf 99}, (2007) 146403]。在该模型中，激子以类似BCS的方式凝聚，并产生由序参量表征的电荷密度波。这里，我们假设序参量的解析形式，从而能够进行温度依赖的计算。讨论了该序参量对电子谱函数（将在光发射谱中观测到）的影响。还给出了由此产生的化学势移动以及电阻率的估计。
引用
@article{arxiv.0809.1936,
title = {Temperature dependence of the excitonic insulator phase model in 1T-TiSe2},
author = {C. Monney and H. Cercellier and F. Clerc and C. Battaglia and E. F. Schwier and C. Didiot and M. G. Garnier and H. Beck and P. Aebi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.1936},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures, paper submitted at the Strongly Correlated Electron System conference, Brazil, 2008