三角晶格上半填充Hubbard模型的单电子Green函数
强关联电子
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
我们使用量子蒙特卡洛方法研究了三角晶格上半填充Hubbard模型的单电子态密度随温度和Hubbard U的行为。我们发现三个 regime：(1) 强耦合Mott-Hubbard regime，特征为即使在高温下仍持续的能隙；(2) 弱耦合paramagnetic regime，特征为在任意有限温度下不存在准能隙；(3) 中间耦合(spiral)自旋密度波 regime，特征为当U超过临界(温度依赖)值后出现准能隙。我们简要评论了第四族半导体表面上sqrt(3) times sqrt{3} adlayer结构的行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0103459,
title = {The one-electron Green's function of the half-filled Hubbard model on a triangular lattice},
author = {M. C. Refolio and J. M. Lopez Sancho and J. Rubio},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0103459},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 8 figures