金刚石中硅空位中心的电子 - 声子过程

我们研究了金刚石中带负电的硅空位 ($\mathrm{SiV}^-$) 中心基态和激发态中声子诱导的电子动力学。测量了 4-350 K 温度范围内的光学跃迁线宽、跃迁波长和激发态寿命。利用时间分辨荧光技术测量了基态轨道弛豫率。建立了 $\mathrm{SiV}^-$ 中心激发态和基态热展宽的微观模型。研究发现，涉及单声子跃迁的振动过程决定了低温下基态和激发态的轨道弛豫率。我们讨论了我们的发现对基态量子比特相干性的影响，并提出了延长 $\mathrm{SiV}^-$ 量子比特相干时间的方法。