单硅空位色心在金刚石中的低温研究
量子物理
2013-04-08 v3 材料科学
摘要
我们利用 5-295 K 温度范围内的变温发光光谱，研究了化学气相沉积 (CVD) 纳米金刚石（生长在铱基底上）中的单硅空位 (SiV) 色心，以及高质量、低应力 CVD 金刚石薄膜中的 SiV 色心系综。我们详细研究了 SiV 色心零声子线 (ZPL) 的变温精细结构。ZPL 跃迁受到非均匀展宽以及随温度变化的均匀展宽的影响，并且从室温冷却至 5 K 时会出现约 20 cm⁻¹的蓝移。我们采用依赖激发功率的 g(2) 测量来探索单 SiV 色心的变温内部布居动力学，并推断其动力学几乎与温度无关。
引用
@article{arxiv.1210.3201,
title = {Low temperature investigations of single silicon vacancy colour centres in diamond},
author = {Elke Neu and Christian Hepp and Michael Hauschild and Stefan Gsell and Martin Fischer and Hadwig Sternschulte and Doris Steinmueller-Nethl and Matthias Schreck and Christoph Becher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.3201},
year = {2013}
}
备注
19 pages, 9 figures, latest version accepted for publication in New Journal of Physics