室温下碳化硅中的各向异性自旋-声学共振
介观与纳米尺度物理
2020-09-09 v1 量子物理
摘要
我们报道了室温下碳化硅中原子尺度中心受声学驱动的自旋共振。具体而言，我们利用表面声波腔，在不存在外部微波电磁场的情况下，选择性地寻址磁量子数差为 1 和 2 的自旋跃迁。这些自旋-声学共振揭示了对静磁场方向的 nontrivial 依赖关系，这归因于声学场的内在对称性以及半整数自旋系统的特殊性质。我们建立了自旋-声学相互作用的微观模型，该模型无需拟合参数即可描述我们的实验数据。此外，我们预测行波表面波会导致手性自旋-声学共振，其在磁场反演时发生改变。这些结果确立了碳化硅作为一种极具前景的片上自旋-光力学量子控制混合平台，可在室温下实现工程化相互作用。
引用
@article{arxiv.2005.00787,
title = {Anisotropic Spin-Acoustic Resonance in Silicon Carbide at Room Temperature},
author = {A. Hernández-Mínguez and A. V. Poshakinskiy and M. Hollenbach and P. V. Santos and G. V. Astakhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.00787},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 3 figures, Supplemental Information