碳化硅中横向磁场导致的自旋多极动力学重取向

碳化硅中带负电的硅空位（$\mathrm{V_{Si}}$）具有长寿命且可光学寻址的高自旋态，这使其成为量子技术应用中极具前景的系统。目前对其自旋动力学的研究大多在沿对称轴施加的外磁场中进行。本文发现，施加垂直于对称轴的弱磁场会导致由光激发下 $\mathrm{V_{Si}}$ 自旋多极动力学重取向引发的非平庸行为。具体而言，我们观察到激发态中四极自旋极化的反转，以及基态中偶极自旋极化的出现。后者远高于热极化，且无法仅由光激发产生。我们的理论计算很好地重现了自旋共振谱中的所有尖锐特征，并阐明了此类固态系统中自旋多极的复杂动力学。