未辐照 6H-SiC 纳米结构中的 N-VSi 相关中心
介观与纳米尺度物理
2014-03-05 v1 材料科学
摘要
我们展示了在未辐照 6H-SiC 纳米结构中，通过电子自旋共振（ESR）和电探测（ED）ESR 方法识别出的与空位相关中心的首次发现。该平面 6H-SiC 纳米结构代表了一个超窄 p 型量子阱，由 n 型 6H-SiC (0001) 晶圆表面上重掺杂硼的{\delta}-势垒所限制。通过测量 6H-SiC 纳米结构在来自{\delta}-势垒的高频产生下的唯一磁阻，EDESR 方法似乎能够识别硅空位中心以及自旋态 S=1 的三重态中心。ESR（X 波段）方法揭示了同样的三重态中心，其特征是具有较大的零场分裂常数 D 和各向异性 g 因子。ESR 和 EDESR 谱中源自与 14N 核超精细（hf）相互作用的超精细线，使我们能够将该三重态中心归因于 N-VSi 缺陷。
引用
@article{arxiv.1308.5073,
title = {N-VSi-related center in non-irradiated 6H SiC nanostructure},
author = {Nikolay Bagraev and Eduard Danilovskii and Dmitrii Gets and Ekaterina Kalabukhova and Leonid Klyachkin and Anna Malyarenko and Dariya Savchenko and Bella Shanina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.5073},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 4 figures