离子注入Si:P纳米结构中的电检测磁共振
材料科学
2007-05-23 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们展示了在5 K下对具有离子注入磷纳米结构的硅进行的电检测磁共振(EDMR)实验结果。器件由高剂量注入的金属引线组成,引线之间有一个方形间隙,磷以对应于10^17 cm^-3的非金属剂量注入其中。通过将此二次注入限制在100 nm x 100 nm的区域,检测到来自少于100个施主的EDMR信号。该技术为研究半导体中的单施主自旋提供了一条途径,这与许多量子信息处理的提议相关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605516,
title = {Electrically-detected magnetic resonance in ion-implanted Si:P nanostructures},
author = {D. R. McCamey and H. Huebl and M. S. Brandt and W. D. Hutchison and J. C. McCallum and R. G. Clark and A. R. Hamilton},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605516},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 3 figures