利用植入μ子观测分子纳米磁体中的能级交叉
强关联电子
2015-05-27 v1
摘要
我们利用μ子自旋弛豫观测了分子纳米磁体（MNM）中的电子能级交叉。尽管此前已有多项针对MNM系统的μ子研究，但这一效应从未被观测到，它为植入μ子的自旋弛豫对电子自旋动力学的敏感性提供了进一步的证据。我们对包含八个Cr离子的破缺环MNM [H_{2}N^{t}Bu^{is}Pr][Cr_{8}CdF_{9}(O_{2}CC(CH_{3})_{3})_{18}]（下称Cr_{8}Cd）的测量，为在B_{c}=2.3 T处发生的S=0到S=1的跃迁提供了清晰的证据。该交叉表现为平均正电子不对称性中共振般的下凹，同时也体现在μ子自旋弛豫率中，该弛豫率在跃迁处出现幅值的急剧增加，并在S=1区间内出现峰值。
引用
@article{arxiv.1104.4027,
title = {Observation of a level crossing in a molecular nanomagnet using implanted muons},
author = {T. Lancaster and J. S. Moeller and S. J. Blundell and F. L. Pratt and P. J. Baker and T. Guidi and G. A. Timco and R. E. P. Winpenny},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.4027},
year = {2015}
}
备注
5 Pages, 2 figures