单个静电门控过渡金属配合物中自旋态的电学操控
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1 材料科学
摘要
我们展示了一种在三端器件中通过电学控制实现高自旋(S=5/2)到低自旋(S=1/2)转变的方法，该器件包含一个由两个三联吡啶配体配位的单个Mn2+离子。通过调节栅极电压，我们还原三联吡啶部分，从而增强Mn原子上的配体场。因此，添加单个电子可稳定低自旋构型，相应的顺序隧穿电流被自旋阻塞所抑制。通过低温非弹性共隧穿光谱，我们推断出分子的磁激发谱，并揭示了低自旋侧存在一个强烈依赖于栅极的单重态-三重态分裂。所测量的偏压光谱与Mn配合物的精确对角化结果一致，并基于简化的有效模型对数据进行了诠释。
引用
@article{arxiv.0912.2640,
title = {Electrical manipulation of spin states in a single electrostatically gated transition-metal complex},
author = {Edgar A. Osorio and Kasper Moth-Poulsen and Herre S. J. van der Zant and Jens Paaske and Per Hedegard and Karsten Flensberg and Jesper Bendix and Thomas Bjornholm},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.2640},
year = {2015}
}
备注
Will appear soon in Nanoletters