分子磁体中自旋的电场调控

在纳米器件中对单个分子自旋进行相干控制是实现分子自旋电子学所承诺潜力的关键前提。通过在时间分辨电子自旋共振测量中施加电场脉冲，我们测量了若干反铁磁性分子纳米磁体中自旋对外加电场的灵敏度。我们发现，在基态自旋为 $S=1$ 的反铁磁环 Cr$_7$Mn 以及一个受挫的 Cu$_3$ 三角形中，自旋态具有线性电场依赖关系，两者的系数均约为 $2~\mathrm{rad}\, \mathrm{s}^{-1} / \mathrm{V} \mathrm{m}^{-1}$。相反，与 Cr$_7$Mn 同构但 $S=1/2$ 的反铁磁环 Cr$_7$Ni 未表现出可探测的效应。我们提出，自旋-电场耦合可用于选择性地控制嵌入纳米器件中的单个分子。