Si-SiO2 界面附近离子注入磷施主的 ESR 研究
材料科学
2010-02-10 v1
摘要
本工作报告了一项关于低能量、低通量磷离子注入硅的电子自旋共振研究，以观察置于 Si-SiO2 界面附近的磷施主的激活。用于估算施主激活水平的电学测量报告称，当使用 14 keV 磷离子时，注入恢复率很高，然而，由于施主态电离（即补偿效应），在存在 SiO2 界面的情况下，无法将超精细共振信号的强度与电学测量结果关联起来。在具有氢钝化表面的硅上进行的比较测量报告了更高的施主超精细信号水平，这与界面处较低的表面缺陷密度一致。
引用
@article{arxiv.1002.1764,
title = {ESR studies of ion implanted phosphorus donors near the Si-SiO2 interface},
author = {Paul G. Spizzirri and Wayne D. Hutchison and Nikolas Stavrias and Jeffrey C. McCallum and Nakorn Suwuntanasarn and Libu K. Alexander and Steven Prawer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.1764},
year = {2010}
}
备注
13 pages, 5 figures, regular paper