硅中超低剂量锑离子注入的电学激活与电子自旋相干性
材料科学
2009-11-11 v2
摘要
我们将超低剂量（ cm）的 Sb 离子注入同位素富集的 Si 中，发现在快速热退火后具有高的电学激活度与低的掺杂剂扩散水平。脉冲电子自旋共振表明，自旋回波衰减对掺杂剂深度及界面质量敏感。在 5.2 K 下，对于在 Si/SiO 界面下 50 nm 处达到峰值的分布，测得自旋退相干时间 为 0.3 ms；当表面用氢钝化后，该时间增加至 0.75 ms。这些测量结果为开发以施主电子自旋编码量子信息的器件提供了基准数据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507318,
title = {Electrical activation and electron spin coherence of ultra low dose antimony implants in silicon},
author = {T. Schenkel and A. M. Tyryshkin and R. de Sousa and K. B. Whaley and J. Bokor and J. A. Liddle and A. Persaud and J. Shangkuan and I. Chakarov and S. A. Lyon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507318},
year = {2009}
}