同位素富集硅 -28 中注入铟的电激活与电子自旋共振测量
材料科学
2015-06-04 v2
摘要
我们对同位素富集硅 -28 中注入的铋施主进行了连续波和脉冲电子自旋共振测量。施主通过热退火实现电激活，且扩散极小。铋离子注入造成的损伤在热退火过程中得到修复，窄自旋共振线宽 () 和长自旋相干时间 ( ms，温度 K) 证明了这一点。这些结果使离子注入铋成为硅中自旋量子比特集成的有希望的候选者。
引用
@article{arxiv.1202.1560,
title = {Electrical activation and electron spin resonance measurements of implanted bismuth in isotopically enriched silicon-28},
author = {C. D. Weis and C. C. Lo and V. Lang and A. M. Tyryshkin and R. E. George and K. M. Yu and J. Bokor and S. A. Lyon and J. J. L. Morton and T. Schenkel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.1560},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures