29Si 核自旋失去过程：多脉冲衰减法在纯净载流子自由硅中的观测
材料科学
2007-05-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了在室温下对于纯净（99.99999%，7N）且无载流子（掺杂浓度为 10^15 cm-3）的硅中 29Si 核自旋失去时间的研究，其中 29Si 核天然丰度为 4.7%。尽管由于 T1（约 10^4 s 级）的极其漫长的自旋-浦度 relaxation time 带来的实验困难，我们仍成功观察到了一系列脉冲衰减，其时间依赖性由失去时间 T2 特征化。我们发现失去过程偏离单一高斯或洛伦兹函数，但可被更好地拟合为双指数函数，其中较短的 T2S = 15±5 ms 和较长的 T2L = 200±20 ms。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310166,
title = {29Si Nuclear-Spin Decoherence Process Directly Observed by Multiple Spin-Echoes for Pure and Carrier-less Silicon},
author = {Shinji Watanabe and Susumu Sasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310166},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 3 figures, to appear in Jpn. J. Appl. Phys