硅自旋量子比特于 300 mm 工业晶圆厂中实现长相干性
介观与纳米尺度物理
2025-12-25 v1
摘要
硅自旋量子比特具有长相干时间、紧凑的占位面积以及与工业 CMOS 制造的兼容性。本文我们在采用先进 300 mm 纳米电子制造厂制造的量子点中构筑自旋量子比特，展示了显著增强的相干性，实现了三重态-基态振荡的 Hahn 共振时间 。通过噪声光谱和噪声相关性测量，我们识别出去信噪噪声，其幅度为 （积分覆盖 90 s），并观察到两个相互独立的自旋量子比特之间存在强烈的零相位相关性。三重态-基态基底本质上能抑制这些共模波动，导致去相干显著抑制。我们的结果表明，利用硅量子点来针对微观噪声景观调整量子比特编码的灵活性，代表着推进可扩展量子信息处理的有前景的策略。
引用
@article{arxiv.2512.20758,
title = {Long coherence silicon spin qubit fabricated in a 300 mm industrial foundry},
author = {Petar Tomić and Patrick Bütler and Yuze Wu and Bart Raes and Clement Godfrin and Stefan Kubicek and Julien Jussot and Yann Canvel and Yannick Hermans and Yosuke Shimura and Roger Loo and Sofie Beyne and Gulzat Jaliel and Thomas Van Caekenberghe and Vukan Levajac and Danny Wan and Kristiaan De Greve and Wister Wei Huang and Klaus Ensslin and Thomas Ihn},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.20758},
year = {2025}
}