用于电子与空穴自旋量子比特探索的柔性 300 mm 集成硅 MOS 平台
介观与纳米尺度物理
2021-02-09 v1 应用物理
量子物理
摘要
我们报道一种柔性 300 mm 工艺，其最优结合光学与电子束光刻以制备硅自旋量子比特。它支持即时布局设计修改，同时允许具有 n 型或 p 型欧姆注入、小于 100 nm 节距以及均匀关键尺寸低至 30 nm（标准偏差约 1.6 nm）的器件。各类 n 型与 p 型量子比特在约 10 mK 温度的稀释制冷机中表征。电学测量展示了明确的量子点、可调隧穿耦合与相干自旋控制，这些均为实现大规模量子处理器的必要前提。
引用
@article{arxiv.2102.03929,
title = {A flexible 300 mm integrated Si MOS platform for electron- and hole-spin qubits exploration},
author = {R. Li and N. I. Dumoulin Stuyck and S. Kubicek and J. Jussot and B. T. Chan and F. A. Mohiyaddin and A. Elsayed and M. Shehata and G. Simion and C. Godfrin and Y. Canvel and Ts. Ivanov and L. Goux and B. Govoreanu and I. P. Radu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.03929},
year = {2021}
}
备注
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), December 12-18, 2020