碳化硅中应力调控的零场自旋分裂
材料科学
2021-03-02 v1
摘要
我们报道了室温下静态机械形变对碳化硅中硅空位零场分裂的影响。我们利用由生长条件产生形变的 AlN/6H-SiC 异质结构，并通过空间分辨共聚焦拉曼光谱监测应力分布随距异质界面距离的变化。由光探测磁共振测得的 6H-SiC 中 V1/V3 与 V2 中心的零场分裂，相较于体相值在异质界面处表现出显著变化。该方法可明确确定自旋-形变相互作用常数，其中 V1/V3 中心为 ，V2 中心为 。鉴于 AlN 的压电性，我们的结果提供了一种通过形变实现 SiC 中自旋跃迁能量按需精细调控的策略。
引用
@article{arxiv.2012.07588,
title = {Stress-controlled zero-field spin splitting in silicon carbide},
author = {I. D. Breev and A. V. Poshakinskiy and V. V. Yakovleva and S. S. Nagalyuk and E. N. Mokhov and R. Hübner and G. V. Astakhov and P. G. Baranov and A. N. Anisimov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.07588},
year = {2021}
}
备注
13 pages, 3 figures