基于碳化硅中能级反交叉的光学测温
材料科学
2016-09-22 v1
摘要
我们报告了在 4H 碳化硅中硅空位中心激发态零场分裂相关的一个巨大的热频移 MHz/K。该结果是通过以基态为辅助，间接观测激发态的光探测磁共振获得的。或者，对于微小的温度差异，无需施加射频场，仅需监测能级反交叉附近的光致发光强度，即可探测零场分裂的相对变化。这一效应促成了一种全光学测温技术，在约 mm 的探测体积内，其温度灵敏度为 mK/Hz。相比之下，基态的零场分裂未表现出可探测的温度频移。利用这些性质，可以在同一中心上实现磁场与温度的集成传感器。
引用
@article{arxiv.1609.06451,
title = {Optical thermometry based on level anticrossing in silicon carbide},
author = {A. N. Anisimov and D. Simin and V. A. Soltamov and S. P. Lebedev and P. G. Baranov and G. V. Astakhov and V. Dyakonov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.06451},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 3 figures