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硅微腔中嵌入杂质中心的电检测电子顺磁共振

介观与纳米尺度物理 2015-05-14 v1 超导电性

作者: N. T. Bagraev , W. Gehlhoff , D. S. Gets , L. E. Klyachkin , A. A. Kudryavtsev , A. M. Malyarenko , V. A. Mashkov , V. V. Romanov

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摘要

我们展示了新型电检测电子顺磁共振(EDEPR)技术的首批发现，该技术无需使用外部谐振腔以及高频源和记录器，仅通过测量由超导δ势垒限制的硅量子阱的磁阻，即可揭示不同的浅能级和深能级中心。

关键词

电检测电子顺磁共振硅微腔杂质中心浅能级中心深能级中心磁阻量子阱

引用

@article{arxiv.0910.3851,
  title  = {EDEPR of impurity centers embedded in silicon microcavities},
  author = {N. T. Bagraev and W. Gehlhoff and D. S. Gets and L. E. Klyachkin and A. A. Kudryavtsev and A. M. Malyarenko and V. A. Mashkov and V. V. Romanov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0910.3851},
  year   = {2015}
}

备注

7 pages, 7 figures