高磁场下硅中磷施主的光谱扩散

我们表征了轻掺杂天然硅中磷施主电子自旋在高磁场（8.58 T）下、黑暗中及低功率光激发下的相位记忆时间。自旋回波衰减主要由丰度为 4.7% 的自旋-1/2 硅-29 核所致的光谱扩散主导。在 4.2 K 时，黑暗中测得的光谱扩散时间（T$_{SD}$）为 $124 \pm 7$ $\mu$s，比低磁场（0.35 T）下测得者小 2 倍。利用可调谐激光器，我们还测量了光激发波长在带边从 1050 nm 扫至 1090 nm 时的回波衰减。可见带隙以上光激发将施主电子自旋的光谱扩散时间增至 $201 \pm 11$ $\mu$s。高场下 T$_{SD}$ 减小以及光激发下随之增大的潜在物理机制仍不清楚。