硅中施主电子自旋的斯塔克调谐
材料科学
2007-05-23 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们报告了使用脉冲电子自旋共振对硅中121Sb施主电子自旋的斯塔克位移测量。在Sb注入的28Si外延层顶部的叉指金属栅极用于施加电场。解析出两种斯塔克效应：施主电子与核自旋之间的超精细耦合减小以及电子塞曼g因子减小。在0.35T的X波段磁场下，超精细项占主导，而g因子项预计在更高磁场下占主导。还解析出一个显著的线性斯塔克效应，可能源于应变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603324,
title = {Stark Tuning of Donor Electron Spins in Silicon},
author = {Forrest R. Bradbury and Alexei M. Tyryshkin and Guillaume Sabouret and Jeff Bokor and Thomas Schenkel and Stephen A. Lyon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603324},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 4 figures, to be submitted to PRL