硅中磷施主量子比特的各向异性斯塔克效应与电场噪声抑制
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v4 仪器与探测器
量子物理
摘要
我们报告利用新型电容终端共面波导 (CPW) 谐振器测量硅中磷施主量子比特的二次斯塔克位移。我们证实，谷再布居导致依赖于电场和磁场相对于硅晶体取向的各向异性自旋 - 轨道斯塔克位移。通过测量线性斯塔克效应，我们估算了样品中由应变引起的有效电场。我们表明，在这种应变存在下，电场的退相干源可能不可忽略。利用我们测量的斯塔克位移值，我们预测了自旋 - 轨道斯塔克效应抵消超精细斯塔克效应的磁场，从而抑制来自电场噪声的退相干。我们讨论了由于应变随机分布导致这些噪声抑制点的局限性，并提出了一种克服它们的方法。
引用
@article{arxiv.1409.3295,
title = {Anisotropic Stark Effect and Electric-Field Noise Suppression for Phosphorus Donor Qubits in Silicon},
author = {A. J. Sigillito and A. M. Tyryshkin and S. A. Lyon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.3295},
year = {2015}
}