通过噪声谱学评估硅量子点自旋量子比特环境
量子物理
2018-10-10 v2
摘要
在通往大规模量子计算机实现的道路上，保持足够长的相干时间以执行有意义的计算是主要挑战之一。来自环境的噪声耦合是退相干的主要因素，但可通过工程设计及控制方案加以抑制。然而，只有在充分理解主导噪声源及其频谱之后，这才有可能实现。在本文中，我们采用硅量子点自旋量子比特作为计量设备来研究该量子比特所经历的噪声环境。我们将该量子比特对同一环境中电噪声的灵敏度与相同环境和测量装置下硅中植入磷施主量子比特的灵敏度进行比较。我们的结果表明，正如预期，由于更大的斯塔克位移，量子点自旋量子比特比施主自旋量子比特对电噪声更敏感，且噪声谱学数据显示在中等频率（2-20 kHz）处有显著的电荷噪声贡献。
引用
@article{arxiv.1803.01609,
title = {Assessment of a silicon quantum dot spin qubit environment via noise spectroscopy},
author = {K. W. Chan and W. Huang and C. H. Yang and J. C. C. Hwang and B. Hensen and T. Tanttu and F. E. Hudson and K. M. Itoh and A. Laucht and A. Morello and A. S. Dzurak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.01609},
year = {2018}
}