多谷半导体中施主的栅极诱导 g 因子控制与维度转变
量子物理
2010-11-19 v1
摘要
半导体施主的 g 因子对施加电场和磁场的依赖性在基于自旋的量子计算和半导体自旋电子学中极为重要。施主 g 因子的斯塔克位移对电场和磁场的方向敏感,并受到宿主能带结构和自旋轨道相互作用的强烈影响。利用一个包含数百万原子的紧束缚框架,计算了多谷半导体(硅和锗)中施主的自旋轨道斯塔克参数。与有限的实验数据比较显示,硅中施主的计算结果与实验吻合良好。栅极诱导的波函数从三维到二维约束转变的结果表明,硅中相应的 g 因子位移在实验上是可观测的。
引用
@article{arxiv.0905.3200,
title = {Gate induced g-factor control and dimensional transition for donors in multi-valley semiconductors},
author = {Rajib Rahman and Seung H. Park and Timothy B. Boykin and Gerhard Klimeck and Sven Rogge and Lloyd C. L. Hollenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.3200},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures