具有位点依赖 $g$ 因子的空穴量子点的基于栅极的自旋读出

IV 族半导体中空穴自旋量子比特的快速发展得益于其可扩展性潜力。这归因于与工业制造标准的兼容性，以及通过全电驱动实现易操作与可寻址性。然而，由于强自旋轨道相互作用，这些系统的关键量子比特控制参数（如 Landé $g$ 因子）呈现变异性与各向异性，需要仔细表征以实现可靠量子比特操作。在此，我们通过基于栅极的反射测量对硅中的空穴双量子点进行实验研究，开展自旋读出。我们表明，由磁谱学产生的反射相位信号中的特征携带着两量子点中位点依赖 $g$ 因子的信息。利用解析建模，我们提取了系统的物理参数，并通过数值计算将结果推广，指出从反射测量中便捷提取局域 $g$ 因子信息的前景。