两个拓扑绝缘体结中无能隙界面态的鲁棒性
介观与纳米尺度物理
2013-11-12 v2
摘要
我们从理论上研究了出现在两个三维拓扑绝缘体界面处的亚能隙态,这两个绝缘体具有彼此不同的自旋-轨道相互作用构型。自旋 σ 与动量 p 的耦合由一个依赖于材料的 3×3 矩阵 Λ 构型为 σ^μ Λ_μ^ν p_ν。我们证明,界面亚能隙态的谱强烈依赖于两个拓扑绝缘体中 Λ 的相对选择。特别地,我们关注当两个拓扑绝缘体中的 Λ 通过动量空间反演相联系时出现的无能隙态的性质。我们还通过数值模拟讨论了这些无能隙态在破坏时间反演对称性或能带反演对称性的微扰下的鲁棒性。
引用
@article{arxiv.1302.4834,
title = {Robustness of Gapless Interface State in a Junction of Two Topological Insulators},
author = {Tetsuro Habe and Yasuhiro Asano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.4834},
year = {2013}
}
备注
13 pages, 9 figures