拓扑绝缘体表面的强关联与体-边界对应的破坏
强关联电子
2012-11-09 v1
摘要
讨论了三维拓扑绝缘体表面出现强关联的标准。通常，这类表面的库仑排斥太弱，不足以驱动向强关联体系的相变。我讨论了一种机制及其实验实现的可能性，通过该机制可以在一宽范围内调节库仑相互作用的强度。在强相互作用区域，表面态是有能隙的，尽管体带结构的拓扑分类预言了无隙表面态。
引用
@article{arxiv.1206.2646,
title = {Strong correlations at topological insulator surfaces and the breakdown of the bulk-boundary correspondence},
author = {Manuel J. Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.2646},
year = {2012}
}