具有能带反转的$\delta$掺杂结中的拓扑保护态
介观与纳米尺度物理
2018-08-29 v1
摘要
拓扑边界可以形成于平庸绝缘体与拓扑绝缘体之间的界面处。结两侧拓扑指数的差异导致了稳健的无能隙表面态。文献中关于这些态的光学研究很少，原因在于难以将其响应与体态响应分离开来。在本工作中，我们提议在拓扑边界附近沉积一层掺杂的施主杂质，以帮助检测无能隙表面态。如我们将展示的，无能隙表面态对该扰动具有稳健性，并且它们增强了由振子强度测量的带内光学跃迁。这些结果有助于理解拓扑绝缘体中表面态与体态的相互作用。
关键词
引用
@article{arxiv.1805.09879,
title = {Topologically protected states in $\delta$-doped junctions with band inversion},
author = {A. Diaz-Fernandez and N. del Valle and E. Diaz and F. Dominguez-Adame},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.09879},
year = {2018}
}