平庸拓扑中的受保护无能隙边缘态
介观与纳米尺度物理
2023-04-07 v1 强关联电子
摘要
体-边对应是强拓扑绝缘体(包括陈绝缘体与 拓扑绝缘体)的重要特征。在非平庸能带拓扑下,受保护的无能隙边缘态对应于体中的 Wannier 障碍或 Wilson 环绕数。近期研究表明,体的拓扑特征未必意味着受保护无能隙边缘态的存在。本文探讨相反的问题:受保护无能隙边缘态的存在是否必然意味着 Wannier 障碍或 Wilson 环绕数?我们给出一个例子,其中受保护无能隙边缘态在上述体拓扑特征缺失的情况下出现。这一平庸化拓扑绝缘体属于一类具有非 delta 函数型 Wannier 函数的新型系统。有趣的是,无能隙边缘态并非由晶体对称性保护;其保护源于镜像反对称性,即手征对称与镜像对称的组合。尽管受保护无能隙边缘态无法由体拓扑特征刻画,但可通过纠缠谱中的谱流来表征。
引用
@article{arxiv.2206.04858,
title = {Protected Gapless Edge States In Trivial Topology},
author = {Yun-Chung Chen and Yu-Ping Lin and Ying-Jer Kao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.04858},
year = {2023}
}
备注
7 pages, 4 figures