纳米晶铜铁氧体薄膜磁性能的温度依赖性
强关联电子
2010-10-12 v1
摘要
采用射频溅射法在50W射频功率下沉积了铜铁氧体薄膜。将沉积态薄膜在空气中于C退火，然后缓慢冷却。使用SQUID磁强计研究了沉积态(AD)和慢冷(SC)薄膜。记录了5K至300K不同温度下的M-H曲线。将M-H曲线得到的矫顽力对温度(T)作图。即使在7T的最高场强下，薄膜的磁化强度也未饱和。M-H曲线的高场部分使用Chikazumi表达式M(H)= Q*(1- a /Hn)的H1/2项进行拟合，其中n=1/2。观察到H1/2项的系数'a'随温度(T)变化。尝试将这一变化与退火薄膜的矫顽力(Hc)相关联。
引用
@article{arxiv.1010.1882,
title = {Temperature dependence of Magnetic properties in Nanocrystalline copper ferrite thin films},
author = {P. D. Kulkarni and Shiva Prasad and N. Venkataramani and R. Krishnan and Wenjie Pang and Ayon Guha and R. C. Woodward and R. L. Stamps},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.1882},
year = {2010}
}
备注
2 pages, 2 figures