用于微机电系统的 5 $\mu$m 厚 SmCo 薄膜的结构、磁学和力学性能
材料科学
2008-12-18 v1
摘要
利用三极溅射法在 Si 衬底上沉积了 5m 厚的 SmCo 薄膜。研究了沉积温度（Tdep <= 600 degrees C）对结构、磁学和力学性能的影响，结果表明，在相对较低的 350 degrees C 温度下沉积的薄膜具有最佳性能（最高的面内织构度、最大的面内矫顽力和剩磁（分别为 1.3 和 0.8 T），且无薄膜剥落）。该温度与薄膜集成到微机电系统（MEMS）相容。通过将靶材表面积从 7 cm2 增加到 81 cm2，沉积速率从 3.6 m/h 提高到了 18 m/h。通过在预图案化薄膜上沉积或通过掩模孔洞进行沉积，可以制备出力学稳定的薄膜。
引用
@article{arxiv.0804.1992,
title = {Structural, magnetic and mechanical properties of 5 $\mu$m thick SmCo films for use in Micro-Electro-Mechanical-Systems},
author = {Arnaud Walther and Kirill Khlopkov and Oliver Gutfleisch and Dominique Givord and N. M. Dempsey},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.1992},
year = {2008}
}