射频溅射沉积铜铁氧体薄膜中的高场磁化
强关联电子
2010-10-12 v1
摘要
在非晶石英衬底上沉积了铜铁氧体薄膜。沉积后的薄膜在空气中退火，然后淬火或缓慢冷却。使用SQUID磁强计对沉积态和退火态薄膜进行了磁化研究。在5K至300K的温度下，测量了高达7T磁场下的M-H曲线。即使在最高磁场下，薄膜的磁化强度也未饱和。表达式M(H)= Q(1- a/H^n)对趋近饱和的拟合最佳，其中n=1/2，适用于所有薄膜和所有温度。系数a在沉积态薄膜中最大，在淬火薄膜中最小。对于沉积态薄膜，系数a的值随温度升高而增大，而对于退火薄膜，a的值随温度升高而减小。
引用
@article{arxiv.1010.1881,
title = {The High Field Magnetization in the RF Sputter Deposited Copper Ferrite Thin Films},
author = {P. D. Kulkarni and Shiva Prasad and N. Venkataramani and R. Krishnan and Wenjie Pang and Ayon Guha and R. C. Woodward and R. L. Stamps},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.1881},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 3 figures