溅射镝薄膜磁化强度的改进
材料科学
2015-06-12 v1
摘要
通过在 SiO2 和 Si 晶圆上进行超高真空直流溅射，制备了 50nm 厚的纳米颗粒多晶镝薄膜。对于沉积在加热至 350°C 晶圆上的样品，通过零场冷却 - 场冷却磁化测量发现，其在 T = 4K 时的最大面内自发磁化强度为 MS4K = 3.28T，奈尔点为 TN = 173K，铁磁转变温度为 TC = 80K，接近单晶值。略微降低的磁化强度可归因于在种子界面处出现的亚稳态面心立方晶体相以及与颗粒度相关的效应，尽管存在面内磁易轴，这些效应仍然具有显著影响。沉积态样品的磁化强度降低为 MS4K = 2.26T，然而其铁磁转变温度移至更高的 TC = 172K，且反铁磁相被完全抑制，这可能是应变导致的结果。
引用
@article{arxiv.1301.1212,
title = {Improved magnetization in sputtered dysprosium thin films},
author = {G. Scheunert and W. R. Hendren and A. A. Lapicki and R. Hardeman and M. Gubbins and R. M. Bowman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.1212},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 3 figures