在非晶 SiO2 衬底上生长的 Fe3O4 薄膜的非常规磁化
强关联电子
2014-11-04 v1
摘要
通过脉冲激光沉积法在非晶 SiO2 衬底上制备了具有 (111) 取向的高质量单晶 Fe3O4 薄膜。发现这些薄膜的磁化性质高度非常规。由磁化跃变导出的 Verwey 转变温度约为 140K，高于体材料值，且可被面外磁场轻微抑制；面外磁化强度意外地高于面内值，并且与体材料值相比也显著增加。我们的研究结果表明，Fe3O4 薄膜与非晶 SiO2 衬底之间的异常耦合极大地增强了 Fe 3d 电子的局域库仑关联 U 和有效铁磁交换相互作用 J，并使其在面外方向发生定向纠缠。
引用
@article{arxiv.1411.0208,
title = {Unconventional Magnetization of Fe3O4 Thin Film Grown on Amorphous SiO2 Substrate},
author = {Zhi-Guo Liu and Shang-Fei Wu and Jia-Xin Yin and Wen-Hong Wang and Wan-Dong Kong and Hao-Jun Yang and Pierre Richard and Hong Ding and Lei Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.0208},
year = {2014}
}