钒掺杂 In$_2$O$_3$ 薄膜中的晶界铁磁性
材料科学
2015-06-17 v1
摘要
在通过脉冲激光沉积法制备的掺有 5 at.% 钒的 InO 薄膜中观察到了室温铁磁性，衬底温度范围为 300 至 600 。X 射线吸收精细结构测量表明，钒以置换方式溶解在 InO 主晶格中，从而排除了钒化合物第二相的存在。基于 SQUID 磁强计和磁圆二色性的磁性测量证实，磁性既存在于晶界处，也存在于晶粒内部。整体磁化强度源于晶粒与晶界之间的竞争效应。
引用
@article{arxiv.1308.6492,
title = {Grain boundary ferromagnetism in vanadium-doped In$_2$O$_3$ thin films},
author = {Qi Feng and Harry J Blythe and A Mark Fox and Xiu-Fang Qin and Xiao-Hong Xu and Steve M Heald and Gillian A Gehring},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.6492},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 7 figures, 1 table, accepted by Europhysics Letters