具有三异质结的P型隧穿场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2016-11-01 v1
摘要
采用三异质结（3HJ）设计来改善p型InAs/GaSb异质结（HJ）隧穿场效应晶体管（TFET）。增加的两个异质结（源极中的AlInAsSb/InAs和沟道中的GaSb/AlSb）显著缩短了隧穿距离并产生了两个共振态，极大地提高了开态隧穿概率。此外，通过增加源极（AlInAsSb）的态密度降低了源极费米简并，并通过更重的沟道（AlSb）空穴有效质量减少了关态泄漏。量子弹道输运模拟显示，在 和 条件下，沟道长度为30nm（15nm）时，获得的 为582A/m（488A/m），这与n型3HJ对应物相当，并显著超过了p型硅MOSFET。同时，输出特性中的非线性开启和延迟饱和也得到了极大改善。
引用
@article{arxiv.1605.07166,
title = {P-Type Tunnel FETs With Triple Heterojunctions},
author = {Jun Z. Huang and Pengyu Long and Michael Povolotskyi and Gerhard Klimeck and Mark J. W. Rodwell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.07166},
year = {2016}
}