反转能带HgTe量子阱中侧向p-n结的边缘态

我们研究了在具有反转能带结构的 14 nm 宽 HgTe 基量子阱（QWs）中通过静电定义的侧向 p-n 结。这些 p-n 结的电阻接近 $h/2e^2$，与先前在 8-10 nm 量子阱上的一些实验一致，且电流-电压特性高度线性，表明输运通过弹道螺旋边缘态进行。为了进一步验证潜在的输运机制，我们进行了散粒噪声测量。我们讨论了引线和边缘通道中未知的非弹性弛豫率在正确解释噪声数据中的作用。尽管支持螺旋边缘态的解释看起来更为一致，但仅基于当前实验尚无法得出确切结论。我们的方法对于在合适几何结构下研究拓扑绝缘体（TIs）中的短准弹道边缘态看起来很有前景。