面内磁场诱导的自旋极化及向绝缘态的转变：二维空穴系统中的现象
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1 强关联电子
摘要
我们采用一种新技术，对稀疏 (3.4 到 6.8×10^10 cm^{-2}) 的 GaAs (311)A 双维空穴系统的自旋极化进行定量测量，随着面内磁场的增大。当磁场增大时，系统逐渐变得自旋极化，其自旋极化程度取决于磁场相对于晶轴方向的取向。此外，系统的行为从金属行为转向绝缘行为是在它完全自旋极化之前发生的。过渡时的次要自旋浓度约为 ~8×10^9 cm^{-2}，接近在无磁场情况下系统转化为绝缘态以下的密度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0012128,
title = {In-plane magnetic field-induced spin polarization and transition to insulating behavior in two-dimensional hole systems},
author = {E. Tutuc and E. P. De Poortere and S. J. Papadakis and M. Shayegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0012128},
year = {2009}
}
备注
4 pages with figures