p+-GaAs中光电子电荷与自旋迁移率的反常温度依赖性
介观与纳米尺度物理
2015-06-09 v1
摘要
研究了电场对p+-GaAs中光电子空间电荷与自旋分布的影响，作为晶格与电子温度的函数。光电子的电荷与自旋迁移率在所有条件下均相等，并表现出随温度降低而增加的已知现象。研究表明，这主要与电子统计而非多数空穴统计相关。这一发现表明，当前基于多数载流子简并的理论模型无法完全解释所观察到的少数载流子迁移率的温度依赖性。
引用
@article{arxiv.1506.02055,
title = {Anomalous temperature dependence of photoelectron charge and spin mobilities in p+-GaAs},
author = {F. Cadiz and D. Paget and A. C. H. Rowe and E. Peytavit and S. Arscott},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.02055},
year = {2015}
}
备注
see attached film, which shows the evolution of the luminescence image as a function of electric field