GaAs 薄膜中光载流子双极扩散的成像
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1 材料科学
摘要
分析了在紧密聚焦激光激发下，钝化 GaAs 自支撑薄膜的稳态发光图像随光激发功率的变化关系。虽然在极低光激发功率下光电子的单极扩散占主导地位，但随着功率增加，由于双极扩散的开始，图像中心附近的扩散常数减小。结果与扩散方程的数值解一致，也与对图像中心发光强度的物理分析一致，从而可以确定双极扩散常数随电子浓度的变化关系。
引用
@article{arxiv.1201.2574,
title = {Imaging ambipolar diffusion of photocarriers in GaAs thin films},
author = {Daniel Paget and Fabian Cadiz and Alistair Rowe and Francois Moreau and Steve Arscott and Emilien Peytavit},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.2574},
year = {2015}
}
备注
5 figures