区分有机半导体中的自旋弛豫机制
介观与纳米尺度物理
2014-10-20 v1 无序系统与神经网络
摘要
本文引入了一种关于无序系统中跳跃载流子的自旋弛豫和自旋扩散理论。对于由跳跃间等待时间分布（例如源于多重陷阱、位点能量无序和/或位置无序）所描述的无序，有机半导体中的主要自旋弛豫机制（超精细相互作用、跳跃诱导的自旋轨道耦合以及位点内自旋弛豫）各自产生不同的特征性自旋弛豫和自旋扩散对温度的依赖关系。该理论预测的有机半导体中每种机制的独特实验特征，为确定主导的自旋弛豫机制提供了依据。
引用
@article{arxiv.1304.3400,
title = {Distinguishing Spin Relaxation Mechanisms in Organic Semiconductors},
author = {N. J. Harmon and M. E. Flatté},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.3400},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 2 figures. Accepted into Phys. Rev. Lett