有机化合物半导体中的主导自旋弛豫机制
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1
摘要
尽管近年来“有机自旋电子学”引起了广泛兴趣，但有机化合物半导体中电子或空穴的主导自旋弛豫机制尚未被最终确定。曾有零星建议认为这可能是由背景核自旋引起的超精细相互作用所致，但从未有确凿证据支持这一观点。在此，我们报告了由Alq3间隔层构成的有机自旋阀结构中自旋扩散长度的电场依赖性，并论证该数据以及关于该长度温度依赖性的现有数据，与超精细相互作用导致自旋弛豫的观点相矛盾。相反，这些数据表明，由自旋-轨道相互作用引起的Elliott-Yafet机制更可能是主导的自旋弛豫机制。
引用
@article{arxiv.1003.2814,
title = {The dominant spin relaxation mechanism in compound organic semiconductors},
author = {Supriyo Bandyopadhyay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.2814},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Physical Review B