超洁净量子阱与拓扑绝缘体中超精细相互作用对电子迁移率的限制
介观与纳米尺度物理
2016-08-26 v2 材料科学
摘要
对高质量半导体结构中限制电子迁移率的电子输运与散射过程的研究是固态电子学的核心。在此，我们揭示了一种由核自旋涨落引起的不可避免的电子散射源。我们计算了量子阱中由电子与核之间的超精细相互作用主导的电子动量弛豫时间，并表明该时间极大地依赖于核自旋的空间关联。此外，伴随自旋翻转的散射过程是拓扑绝缘体导电表面 Dirac 费米子背散射的来源。
引用
@article{arxiv.1508.07777,
title = {Limitation of electron mobility from hyperfine interaction in ultra-clean quantum wells and topological insulators},
author = {S. A. Tarasenko and Guido Burkard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.07777},
year = {2016}
}
备注
5 pages