位置无序有机固体中自旋翻转诱导的磁电阻
无序系统与神经网络
2012-05-02 v1
摘要
本文提出了一个描述位置无序有机材料中磁电阻的模型，并利用逾渗理论对其求解。该模型通过考虑自旋动力学对跳跃格点有效密度的影响，描述了自旋翻转对跳跃输运的作用。更快的自旋翻转跃迁会打开“自旋阻塞”通道，使其成为可行的导电沟道，从而产生磁电阻。在若干区域，包括自旋翻转时间慢于跳跃时间的情形，磁电阻可以解析求得。跳跃时间与超精细进动时间之比是决定磁电阻曲线形状的关键量。对已知具有可控位置无序的体系进行磁电阻研究，将为该模型提供严格的检验。
引用
@article{arxiv.1106.3040,
title = {Spin-flip induced magnetoresistance in positionally disordered organic solids},
author = {N. J. Harmon and M. E. Flatté},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.3040},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 3 figures