有机半导体中自旋量子关联猝灭引起的磁电阻
材料科学
2014-06-05 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出了一种基于非相干跳跃发生时载流子自旋与其局域环境之间量子关联猝灭的有机磁电阻（OMR）理论。我们证明，该过程为跳跃速率中的逃逸尝试频率贡献了一个自旋依赖的前因子，其值受磁场调制。由此产生的OMR表现出一个正的洛伦兹饱和分量和一个负的小场分量，它们与模型参数无关。这些行为及其同位素效应与实验结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.1207.1152,
title = {Magnetoresistance from quenching of spin quantum correlation in organic semiconductors},
author = {Wei Si and Yao Yao and Xiaoyuan Hou and Chang-Qin Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.1152},
year = {2014}
}