n 型电子诱导铁磁半导体 (In,Fe)As 的生长与表征
材料科学
2012-09-04 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们表明，通过在 InAs 中引入等电子铁 (Fe) 磁性杂质和铍 (Be) 双施主原子，可以利用低温分子束外延生长一种 n 型铁磁半导体 (FMS)，其铁磁性可通过 Fe 掺杂和独立的载流子掺杂进行控制。我们证明了掺入电子的 (In,Fe)As 表现为 n 型电子诱导 FMS。这一成就为实现新型自旋器件（如自旋发光二极管或自旋场效应晶体管）开辟了道路，并有助于理解 FMS 中载流子介导铁磁性的机制。
引用
@article{arxiv.1209.0250,
title = {Growth and characterization of n-type electron-induced ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As},
author = {Pham Nam Hai and Le Duc Anh and Shyam Mohan and Tsuyoshi Tamegai and Masaya Kodzuka and Tadakatsu Ohkubo and Kazuhiro Hono and Masaaki Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.0250},
year = {2012}
}
备注
arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1106.0561