通过调控载流子波函数控制铁磁半导体 (In,Fe)As 量子阱中的铁磁性
材料科学
2014-02-03 v1
摘要
我们演示了通过调控载流子波函数，控制在夹于两层 InAs 层之间的 5 nm 厚 n 型铁磁半导体 (In,Fe)As 层表面量子阱中的铁磁性。(In,Fe)As 层的居里温度 () 被有效改变了高达 12 K ()。我们使用平均场 Zener 理论进行的计算揭示了 (In,Fe)As 中出乎意料的大 s-d 交换相互作用。我们的结果确立了一种控制 n 型 FMS 量子异质结构中铁磁性的有效方法，同时也要求重新审视当前对窄带隙 FMS 中 s-d 交换相互作用的理解。
引用
@article{arxiv.1309.5283,
title = {Control of ferromagnetism by manipulating the carrier wavefunction in ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As quantum wells},
author = {Le Duc Anh and Pham Nam Hai and Masaaki Tanaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.5283},
year = {2014}
}
备注
28 pages icluding both main text(15 pages, 4 figures) and supplementary information (13 pages)